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高分子材料:電子3C行業(yè)***用金屬3D打印技術(shù),如榮耀Magic V2的鈦合金鉸鏈,顯示了在復(fù)雜結(jié)構(gòu)中的新應(yīng)用潛力。新工藝突破無支撐金屬3D打印:多家公司如EOS、鉑力特、華曙高科等在工藝上取得重大進(jìn)展,減少零件數(shù)量,提高制造效率。
在2023年11月15日,Nanoscribe正式發(fā)布雙光子灰度光刻(2GL)技術(shù),這項(xiàng)革命性3D微加工技術(shù),通過激光束與高速振鏡的高頻同步操作,實(shí)現(xiàn)單體素調(diào)諧,達(dá)到光學(xué)級的微納加工特征和結(jié)構(gòu)。
納米技術(shù) 納米技術(shù)是一種新興的工藝技術(shù),在制造、醫(yī)療、電子等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。它通過操作和控制物質(zhì)在納米尺度范圍內(nèi)的結(jié)構(gòu)和性質(zhì),從而實(shí)現(xiàn)材料性能的突破。納米技術(shù)可以提高材料的強(qiáng)度、硬度、耐磨性,同時(shí)降低其重量和成本。
制造新工藝 制造新工藝是提升生產(chǎn)效率、優(yōu)化產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵。其中包括精密加工技術(shù)、數(shù)控機(jī)床應(yīng)用技術(shù)、自動(dòng)化生產(chǎn)線配置技術(shù)等。例如,激光切割、焊接技術(shù)的廣泛應(yīng)用,使得金屬加工更加精確、高效;3D打印技術(shù)的成熟,實(shí)現(xiàn)了復(fù)雜結(jié)構(gòu)的快速成型,為個(gè)性化定制生產(chǎn)提供了可能。
年佳士得春拍——玉器篇(工藝精品)本次拍賣涵蓋了眾多工藝精品級別的玉器,每一件作品都展現(xiàn)了中國玉器工藝的精湛與深厚的文化底蘊(yùn)。
于5月31日本次春季拍賣期間,佳士得香港將非常榮幸首次舉辦私人珍藏高古玉器專場拍賣,以饕藏家。
月30日,本年度的佳士得香港春拍浮生閑趣專拍將呈獻(xiàn)一件清代乾隆皇帝御制的黃玉雕提梁禾亭卣。卣蓋內(nèi)底、卣身內(nèi)底及外底均刻有銘文。根據(jù)清宮內(nèi)務(wù)府《活計(jì)清檔》記載,這三處銘文均為一名受乾隆皇帝喜愛的蘇州玉工朱彩,受皇帝欽命而鐫刻其上。
精彩紛呈:佳士得香港春季拍賣 5月香港春拍期間,佳士得香港中國瓷器及藝術(shù)品部一連舉行了“梵華古韻”佛教藝術(shù)拍賣、“禹火紫霞”專拍、“寶芳閣官窯瓷器珍藏”、載譽(yù)歸來的“浮生閑趣”精致文房用品及器物拍賣和“重要中國瓷器及工藝精品”五場精心策劃的拍賣,共錄得近4億港元的成交總額。
臺積電2nm工藝進(jìn)展迅速,2023年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)有望臺積電,全球芯片制造巨頭,近期宣布其2nm工藝的研發(fā)已進(jìn)入關(guān)鍵階段,預(yù)計(jì)在2023年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的良品率將達(dá)到90%,這標(biāo)志著其將保持每兩年推出一代新工藝的節(jié)奏。今年一季度,5nm工藝順利量產(chǎn),而3nm工藝***于明年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),隨后在2024年大規(guī)模投入生產(chǎn)。
近期,關(guān)于2nm工藝的消息表明,該技術(shù)的研發(fā)已進(jìn)入高級階段,預(yù)計(jì)將在2023年取得突破性進(jìn)展。臺積電對2nm工藝在2023年年底達(dá)到90%的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良品率抱持樂觀態(tài)度,這意味著他們***在這一年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),為次年的大規(guī)模投產(chǎn)做準(zhǔn)備。
而反觀臺積電方面,早在2018年就已經(jīng)量產(chǎn)了7nm,5nm也開始實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定出貨,華為麒麟9000以及蘋果的A14和M1均是基于5nm工藝的產(chǎn)品。另外,3nm、2nm等更為先進(jìn)的制程工藝也在積極布局中,根據(jù)相關(guān)媒體的報(bào)道,目前臺積電2nm工藝已經(jīng)取得重大突破,研發(fā)進(jìn)度超前。業(yè)界普遍看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率,甚至可能會達(dá)到90%。
頻頻發(fā)聲的是臺積電,在2019年6月份,臺積電正式宣布啟動(dòng)2nm制程研發(fā),并成立研發(fā)團(tuán)隊(duì)。依據(jù)官方說明,臺積電在2nm制程上將***用以 環(huán)繞式柵極技術(shù)(GAA) 為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu),***于2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn),于 2024年量產(chǎn)。
臺積電2nm工藝取得重大內(nèi)部突破,量產(chǎn)指日可待據(jù)報(bào)道,臺灣積體電路制造公司(TSMC)在2nm工藝研發(fā)上取得顯著進(jìn)展,盡管具體細(xì)節(jié)尚未公開,但預(yù)計(jì)這項(xiàng)突破將促使2nm工藝在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn),緊接著在2024年進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段。
據(jù)其2019年年報(bào),5nm工藝已進(jìn)入量產(chǎn)階段,3nm研發(fā)持續(xù),而2nm的研發(fā)速度被顯著提升。臺積電在7nm工藝上引入了EUV極紫外光刻技術(shù),5nm上也成功實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)移,并在3nm上展現(xiàn)了出色的光學(xué)性能和預(yù)期的良品率,因此,2nm及后續(xù)工藝的重點(diǎn)將聚焦于優(yōu)化EUV技術(shù)的質(zhì)量與降低成本。
材料限制:1803年的冶金技術(shù)相對落后,可能無法生產(chǎn)出與現(xiàn)代材料相匹配的高強(qiáng)度合金。 制造工藝限制:即使有了合適的材料,由于當(dāng)時(shí)缺乏現(xiàn)代機(jī)械加工技術(shù),可能無法實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代步槍精密的加工要求。 設(shè)備限制:現(xiàn)代步槍的生產(chǎn)需要大量的機(jī)械設(shè)備和電子設(shè)備,而這些設(shè)備在1803年是不存在或不完善的。
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